检测背景：
晶圆作为半导体器件的核心基材，其表面平整度与缺陷控制直接决定芯片的良率与性能。微粒、划痕、凹坑等微观缺陷（尺寸多在纳米至微米级），仅通过2D光学观测难以精准判断其对器件的危害程度。
检测方案：普密斯白光干涉轮廓仪
白光干涉仪凭借非接触式3D轮廓测量技术，可将这些隐形或微小缺陷转化为精准的3D量化数据（包括缺陷体积、深度/高度、截面轮廓等），为工程师追溯缺陷来源、评估性能影响、优化制造工艺提供核心依据。
光干涉仪的量化能力源于其独特的干涉成像机制：设备发射的白光经分光镜分为两束，一束照射晶圆表面（测量光），另一束照射标准参考平面（参考光）；两束光反射后重新叠加形成干涉条纹，条纹的明暗变化与相位差直接关联晶圆表面与参考平面的高度差。
通过沿Z轴逐点扫描晶圆表面，采集不同位置的干涉信号，再经算法重构，即可生成覆盖检测区域的3D拓扑图，将原本抽象的表面缺陷转化为可量化的三维数据。相较于传统2D检测仅能获取缺陷的平面尺寸，白光干涉仪的3D量化可完整呈现缺陷的空间形态，这是判断缺陷危害程度的关键。
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